Світогляд.info

На головну
2089-05-27 2089-05-27 00:00:00

Іван Різак присвятив свою докторську дисертацію по фізиці твердого тіла сину Олексію, вбитому в 2012 році.  Спасибі Тобі ,дорогий сину, за підтримку! Вічная Тобі память! Ти з нами єдиний назавжди! 27 травня 2017 року Олексію Різаку виповнилося б 28 років!  16 листопада 2012 року було жорстоко вбито Різака Олексія Івановича. Досудове слідство цинічно і нагло фальсифіковане! З цієї причини замовники, вбивці та перевертні в погонах не понесли відповідальності! Дорогий Олексію! Пам`ятаємо! Любимо! Не здамося! Спасибі Всевишньому, що Ти з нами був, є і будеш єдиний навіки! Спасибі Тобі за спільно прожиті роки! Вічная Тобі память! ГОРДИМОСЯ ТОБОЮ, ЛЮБИМИЙ СИНУ!

Іван Різак присвятив свою докторську дисертацію по фізиці твердого тіла сину Олексію, вбитому в минулому році.  Спасибі Тобі ,дорогий сину, за підтримку! Вічная Тобі память!Ти з нами єдиний назавжди!

Іван Різак  (фото 2013 року)                                   Олексій Різак (фото 2012 року)

Про це він заявив в заключному слові після успішної апробації в Ужгородському університеті, яка стала можливою завдяки підтримці ректора УжНУ проф. Ващука.

На науковому семінарі блискучі дисертації і доповідь були підтримані одноголосно.

Він подякував фізикам, з якими колись працював, рідним, дружині Галині, авторитетним рецензентам. Науковим консультантом вченою Радою факультету затверджено доктора фізико-математичних наук Стронського О.В.

Побажаймо Івану Михайловичу успішного захисту, який, надіємося, відбудеться в одній із київських наукових спеціалізованих рад.

 

Список наукових праць Різака І.М.

 

№  п/п Назва Видавництво, журнал (назва номер, рік) або номер авторського свідоцтва Прізвища співавторів
1 2 5 7
1 Двулучепреломление в не-соразмерной фазе собственных сегнетоэлект­риков Sn2P2Se6. УФЖ.1991.Т. 36.№ 5. С. 728—732. Ю.М. Высочанский 

С.Ф. Мотря

С.И. Перечинский

В.Ю. Сливка

2 Средневзвешенная плотность фононных состояний и теплоемкость кристаллов Sn2P2S6. В сб.: Тезисы докладов 5-й Всесоюзной школы-семинара по физике сегнетоэластиков. Ужгород, 1991. С. 116. А.А. Василькевич 

Ю.М. Высочанский

П.Г. Иваницкий

В.И.Слисенко.

3 Температурное поведение теплопроводности монокристалловSn2P2S6 со структурным фазовым переходом В сб.: Тезисы докладов 5 Всесоюзной школы-семинара по физике сегнетоэластиков. Ужгород, 1991. С. 115. К. Аль-Шуфи 

А.А. Сейковская

4 Влияние одноосного сжатия на несоразмерную фазу кристаллов Sn2P2Se6. В сб.: Тезисы доклада 5 Всесоюзной школы-семинара по физике сегнетоэластиков. Ужгород, 1991. С. 117 С.И. Перечинский 

С.Ф. Мотря

Ю.М. Высочанский

5 О роли высших гармоник модуляции структуры в несоразмерной фазе собственных сегнето­электриковSn2P2Se6. В сб.: Тезисы докладов XVIIIМежвузовской конференции молодых ученых “Современные проблемы физики и химии растворов”. Л., 1991. С. 65—66 С.И. Перечинский 

 

6 Глобальный гистерезис двупреломления и эффект термооптической памяти в несоразмерной фазе сегнето-электрика-полупроводника Sn2P2Se6 В сб.: Тезисы докладов XVIIIМежвузовской конференции молодых ученых “Современные проблемы физики и химии растворов”. Л., 1991. С. 65—66 С.И. Перечинский 

 

7 Температурное поведение теплопроводности монокристалловSn2P2S6 в интервале температур 4,2—370 К В сб.: Тезисы докладов 6-й научной конференции моло­дых ученых и аспирантов. Ужгород, 1991. С. 46. К.Аль-Шуфи 

А.А.Сейковская

8 Теплоемкость сегнетоэлектрических твердых растворов
(PbуSn1–у)2P2S6 и 

(PbуSn1–у)2P2Se6

В сб.: Научные работы мол. ученых, УжГУ-45. Ужгород, 1991. С. 43—48.
9 MemoryeffectintheincommensuratephaseofSn2P2Se6ferroelectric-semiconductor Proc. FEME. Dijon. 1991.P. 475 S.I.Perechinsky
10 Аномальный гистерезис двупреломления и эффект термооптической памяти в несоразмерной фазе сегнетоэлектрика-полу­проводника Sn2P2Se6 ФТТ.1992.№ 8. С.2641—2646. С.И. Перечинский 

 

11 Аномалии физических свойств при фазовых переходах в сегнетоэлектри­ческих смешанных кристаллах
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6.
Матер. Респ. конф. “Естеств. науки в решении эколог. пробл. нар. х-ва”. Ч. 2. Перм. гос.
ун-т. Пермь, 1991. С. 408—412.
С.И. Перечинский 

О.В. Петрушова

П.И. Личинда

С.М.Гасинец

12 Влияние одноосного сжа-тия на фазовые переходы сегнетоэлектриков Sn2P2S6-Sn2P2Se6 ФТТ.1992.Т. 34.№ 10. С. 3119—3124. Ю.М. Высочанский 

С.И. Перечинский

И.П. Приц

А.А. Сейковская

13 Влияние дефектов на ано-малии теплоемкости при структурных фазовых пере-ходах в кристаллах типа Sn2P2S6 УФЖ.1992.Т. 37.№ 8. С. 1262—1268 Ю.М. Высочанский 

В.Ю.Сливка

14 Аномалии физических свойств собственных сегнетоэлектриков
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 в окрестности трикритической точки Лифшица.
Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 1. С. 26. С.И. Перечинский 

М.И. Гурзан

С.М. Гасинец

В.Ю.Сливка

15 Критическое поведение двулучепреломления сегнетоэлектрика Sn2P2Se6 в окрестности фазового перехода из пара- в несоразмерную фазу. Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 1. С. 22 Ю.М. Высочанский 

С.И. Перечинский

В.Ю. Фенчак

16 Критическое поведение двулучепреломления сегнетоэлектрика Sn2P2Se6 в окрестности фазового перехода из пара- в несоразмерную фазу. ФТТ.1992.Т. 34.№ 12. С. 3709—3712 Ю.М. Высочанский 

С.И. Перечинский

В.Ю. Сливка

17 Плотность фононных состояний и теплоемкость кристалловSn2P2S6 и Sn2P2Se6. Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 1. С. 76 А.А. Василькевич 

Ю.М. Высочанский

П.Г. Иваницкий

В.И. Слисенко

В.Ю. Сливка

18 Анизотропия теплопровод­ности сегнетоэлектрика Sn2P2S6 в интервале температур 4,2—370 К. Тез. докл. ХIII конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 15—19 сентября 1992 г. Т. 2. С. 20. К.Аль-Шуфи 

Ю.М. Высочанский

И.П. Приц

19 Теплопроводность моно­кристаллов Sn2P2S6 и Pb2P2Se6 в интервале температур 4.2—370К. Збірн. наук. праць I укр. наук. конф. “Фізика і хімія складних напівпровідникових матеріалів”. Ужгород, 1992. С. 86—88 

 

К. Аль-Шуфи
20 Экспериментальная фазовая диаграмма сегнетоэлектри­ческих кристаллов
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6.
Збірн. наук. праць I укр. наук. конф. “Фізика і хімія складних напівпровідникових матеріалів”. Ужгород, 1992. С. 82—85. М.И. Гурзан
21 Термодинамические свойства и динамика решетки кристал. 

(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 с трикритической точкой Лифшица на диаграмме состояний.

Збірн. наук. праць I укр. наук. конф. “Фізика і хімія складних напівпровідникових матеріалів”. Ужгород, 1992.С. 135.
22 Critical behaviour of uniaxial Sn2P2S(Se)6 ferroelectric. Ferroelectrics.1993. Vol. 143. Р. 59—66. Yu.M. Vysochansky 

S.I. Perechinsky

23 On the role of charge carries in the thermooptical memory effect for Sn2P2Se6 ferroelectric-semi-conductor in the incommensu-rate phase. Ferroelectrics.1993. Vol. 143. P. 67—72 S.I.Perechinsky 

Yu.M. Vysochansky

V.Yu.Slivka

24 Tricritical Lifshitz point in phase diagram of 

(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 ferroelectrics.

Ferroelectrics.1993. Vol. 143. Р. 135—141. Yu.M. Vysochansky 

M.I.Gurzan

V.Yu.Slivka

25 Линия точек Лифшица и не-соразмерная фаза на диаграмме состояний сегнетоэлектриков
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6
УФЖ. 1993. Т. 38. № 5. С. 67—70 М.И. Гурзан 

С.И. Перечинский

Ю.М. Высочанский

В.Ю. Сливка

26 Phonon-statedensityandthermodynamical functions of Sn2P2S6and Sn2P2Se6 crystals. IMF-8.Maryland. 1993. Р. 221. V.Yu.Slivka 

P.G.Ivanitsky

A.A. Vasil’kevich

V.I.Slisenko

 

27 Tricritical Lifshitz-like beha-viour of proper uniaxial 

(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 ferroelectrics.

IMF-8.Maryland. 1993. Р. 220. M.I.Gurzan 

S.I. Perechinsky

V.Yu.Slivka

28 Heat conduction of Sn2P2S6 ferroelectric monocrystals and its isostructural analogs. IMF-8.Maryland. 1993. Р. 219. K.Al’-Shufi 

I.P.Prits

Yu.M.Vysochansky

V.Yu.Slivka

29 Critical Phenomena in Proper Ferroelectrics in the Vicinity of Tricritical Lifshitz Point. Ukrainian-French Symposium“Condensed Matter: Science and Industry”. Lviv. 20—27 February 1993. Р. 308 M.I. Gurzan 

S.I. Perechinsky

Yu.M.Vysochansky

V.Yu.Slivka

30 Теплопроводность сегнето­электриков-полупроводни­ковSn2P2S6, Тез. докл. межд. семинара по физике сегнетоэлектриков-полупроводников. Ростов-на-Дону. 1993. С. 61. К. Аль-Шуфи 

Ю.М. Высочанский

31 О роли носителей заряда в эффекте термооптической памяти в НС фазе сегнетоэлектриков-полупроводников Sn2P2Se6. Тез. докл. межд. семинара по физике сегнетоэлектриков-полупроводников. Ростов-на-Дону, 1993. С. 83 С.И. Перечинский 

Ю.М. Высочанский

В.Ю. Сливка

32 Теплопроводность сегнето­электрика Sn2P2S6 в интервале температур 4,2—370 К ФТТ.1993.Т. 35.№ 8. С. 2122—2127. К.Аль-Шуфи 

И.П. Приц

Ю.М. Высочанский

В.Ю.Сливка

33 Effect of the Uniaxial Com-pression on the Phase Transi-tions inSn2P2S6-type Ferro-electrics 

 

Phys. St. sol.(B). 1994.Vol. 183.Р. 97—102 S.I.Perechinskii 

Yu.M.Vysochanskii

V.Yu.Slivka

34 Heat transport in the crystals of Sn(Pb)2P2S(Se)6 system. Abstracts Ukrainian-Polish & East-European work-shop on Ferroelectriciti and Phase Transitions. Uzhgorod-V-Remety. 1994.Р. 111 

 

K. Al’-Shoufi 

M.I. Gurzan

Yu.M.Vysochanskii

35 Elektroconductivity of the Sn2P2S6 — Type ferroelectrics-semiconductors. Abstracts Ukrainian-Polish & East-European workshop on Ferroelectriciti and Phase Transitions. Uzhgorod-V-Remety. 1994.Р. 112 

 

A.A. Bokotey 

K. Al’-Shoufi

V.Yu.Slivka

36 Thermoconductivity peculiari-ties near phase Transitions of first and second order in Sn2P2S(Se)6 Ferroelectrics. Abstracts Ukrainian-Po-lish & East-European workshop on Ferroelectriciti and Phase Transi-tions. Uzhgorod-V-Remety. 1994. Р. 113 

 

K.Al’-Shoufi 

I.P.Prits

37 Stress influence on the Phase Transition in Sn2P2(SeхS1–х)6crystals. Abstracts Ukrainian-Polish & East-European workshop on Ferroelectriciti and Phase Tran-sitions. Uzhgorod-V-Remety. 1994. Р. 120 A.A. Bokotey 

M.M. Khoma

S.I. Perechinskii

Yu.M. Vysochanski

38 Эффекты кристаллического поля в соединении NdAl ФТТ.1993.Т. 35.№ 4. С. 947—952. А.А. Василькевич 

П.Г. Иваницкий

В.И. Слисенко

39 Плотность фононных состояний и термодинамические свойства сегнетоэлектриков Sn2P2S6 и Sn2P2Se6. ФТТ.1994.Т. 36.№ 5. С. 1205—1212. А.А. Василькевич 

Ю.М. Высочанский

П.Г. Иваницкий

В.И. Слисенко

В.Ю. Сливка

40 Тепловое сопротивление кристаллов типа Sn2P2S6 в окрестности фазовых переходов. Тез. докл. VIII научно-техн. конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов”. Ужгород; Киев, 12—14 октября 1994. С. 42 К.Аль-Шуфи 

М.И. Гурзан

Ю.М. Высочанский

41 Электропроводность сегне-тополупроводников системыSn(Pb)2P2S(Se)6. Тез. докл. VIII научно-техн. конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов”. Ужгород; Киев, 12—14 октября 1994.С. 44 А.А.Бокотей 

К. Аль-Шуфи

С.И. Перечинский

И.П.Приц

42 Thermal conduction of Sn2P2S6- like crystals with tricritical Lifshitz points. Abstract book EMF. July 4—8 1995. Nijmegen, The Netherland. Р. 04—38 A.A. Bokotey 

M.I.Gurzan

Yu.M.Vysochanskii

V.Yu.Slivka

43 Теплопроводность соединений типа Sn2P2S6 Тез. докл. VIII научно-техн. конф. “Химия, физика и технология халькогенидов и халькогалогенидов”. Ужгород; Киев, 12—14 октября 1994. С. 129. К.Аль-Шуфи 

И.П. Приц

Ю.М. Высочанский

В.Ю.Сливка

44 Electric conduction of Sn2P2S6-like crystals with polycritical points in the phase diagram. Abstract book EMF. July 4—8 1995. Nijmegen, The Netherland. Р. 04—39. A.A.Bokotey 

M.I.Gurzan

Yu.M.Vysochanskii

V.Yu.Slivka

45 The thermal conductivity of ferroelectrical solid solution on the base of Sn2P2S6 . Proceedinngs of the Inter national Autumn Scole-Conferece for Young Scientists “Solid State Physics: Fundamentals & Applications”. Uzhgorod;Kiev, 1995.Р. 61—62 A.A.Bokotey 

M.I.Gurzan

Yu.M.Vysochanskii,

V.Yu.Slivka

46 Heat conduction of Sn2P2S6 ferroelectric monocrystals and its isostructural analogs Ferroelectrics.1994. Vol. 155. Р. 323—328 K.Al’-Shufi 

I.P.Prits

Yu.M.Vysochansky

V.Yu.Slivka

47 Thermal Properties of 

(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 crystals with tricritical Lifshitz point on a Phase diagram.

Ferroelectrics.1995. Vol. 168. Р. 39—53 M.I.Gurzan 

K. Al’-Shufi

Yu.M. Vysochansky

V.Yu. Slivka

48 Температурна залежність спектру м’яких оптичних фононів і аномалій термо­динамічних властивостей сегнетоелектриківSn2P2S6. УФЖ. 1997. Т. 42.№ 1.С. 55—62. A.A. Bokotey 

K. Al’-Shoufi

V.Yu.Slivka

49 Electric conduction of Sn(Pb)2P2S(Se)6-like crystals. Ferroelectrics.1997.Vol. 192. P. 149—154 A.A. Bokotey 

K. Al’-Shufi

V.Yu. Slivka

50 Thermal conduction of Sn(Pb)2P2S(Se)6-like compounds. Ferroelectrics.1997.Vol. 192. P. 167—175 K. Al’-Shoufi 

A.A. Bokotey

Yu.M. Vysochansky

V.Yu. Slivka

51 On the origin of the anomalies in the temperature dependences of thermal conduction in Sn2P2S6-like crystals at the phase transitions Ferroelectrics.1997.Vol. 192. P. 177—185 K. Al’-Shoufi 

Yu.M. Vysochansky

V.Yu. Slivka

52 Anisotropical point in the thermal conductivity of the Sn2P2S6ferroeletrics Abstracts the Ninth International Meeting on Ferroelectricity. Seoul. Korea. 1997. P. 200. M.I.Gurzan 

Yu.M.Vysochanskii

V.Yu.Slivka

53 Вплив ізовалентних заміщень на статичні і динамічні властивості кристалів
(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6.
Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 19. В.Ю. Сливка
54 Відтворення густини фононних станів із теплових експеримен-тів: розрахункові можливості. Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 30. О.І. Лендєл 

І.О. Косей

В.В. Маслюк

55 Ізотропна точка в теплопровід-ності сегнетоелектриківSn2P2S6. Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 59. Н.Д. Байса 

М.І. Гурзан

В.Ю. Сливка

56 Роль теплового механізму в ефекті самофокусування в сегнетоелектриках типу Sn2P2S6 Зб. тез. міжрегіон. наук.-практ. конф. “Фізика конденсованих систем”. Ужгород, 1998.  С. 60. Н.Д. Байса 

М.І. Гурзан

В.Ю. Сливка

57 Статичні, динамічні і кінетичні властивості кристалів 

(PbуSn1–у)2P2(SeхS1–х)6 при ізовалентних заміщеннях

Зб. тез. ІХ наук.-техн. конф. “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогало­генідів”. Ужгород, 1998. С. 20. В.Ю. Сливка
58 Розрахунок густини фононних станів кристалів типу Sn2P2S6 із теплофізичних експериментів Зб. тез. ІХ наук.-техн. конф. “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогало­генідів”. Ужгород, 1998. С. 187 

 

О.І. Лендєл 

Я.П. Коссей

В.В. Маслюк

59 Теплові властивості кристалів типу Sn2P2S в області низьких температур Зб. тез. ІХ наук.-техн. конф. “Хімія, фізика і технологія халькогенідів та халькогало­генідів”. Ужгород, 1998. С. 191 

 

Н.Д. Байса 

В.Ю. Сливка

60 Розрахунок густини фононних станів з даних теплємності Вісник УжДУ. Серія фізика. 1999 О.І. Лендєл 

І.П. Коссей

В.В. Маслюк

61 КР спектри кристалів ФТТ. Т. 41, вип.______, 1999.
С. 33—42
К.В.Домарацький
62 Розрахункові можливості від­творення густини фононних станів твердих тіл з темпе­ратурної залежності теплоєм­ності Наук.-тех. зб. “Про­блеми економічного та соціального розвитку ре­гіону і практика наукового експерименту”. Київ; Ужгород, 1999. Вип. 15.
С. 146—150
О.І. Лендєл 

І.П. Коссей

В.В. Маслюк

63 Теплові властивості сегнето-електричних кристалів в околі полікритичних точок Перша українська школа-семінар з фізики сегнето­електриків та спорідне­них матеріалів, 26—28 серпня 1999. Львів. С. 6 В.Ю. Сливка
64 Розрахунок густини фононних станів сегнетоелектриківSn2P2S(Se)6 з температурної залежності теплоємності Перша українська школа-семінар з фізики сегнето­електриків та спорідне­них матеріалів, 26—28 серпня 1999. Львів. С. 53 В.В. Маслюк 

О.І. Лендєл

Я.П. Коссей

65 Теплопровідність Li2B4O7у монокристалічному і склопо­дібному станах. Перша українська школа-семінар з фізики сегнетоелектриків та спорідне­них матеріалів, 26—28 серпня 1999. Львів. С. 54 Н.Д. Байса 

В.М. Головей

М.І. Головей

П.П  Пуга

66 Фото-термоструктурні пере­творення халькогенідів Монографія, Вид-во “Закар­паття”. 1999. 392 с. Д.Г. Семак
67 Комбинационное рассеяние света в монокристалле ФТТ. Т. 42. Вып. 8, 2000, сі 404—1408. К.В. Домарацкий 

В.И. Пастухов

А.Ю. Кудзин

Л.Я. Садовская

В.М. Ризак

В.А. Степанович

68 Теплопровідність Li2B4O7у мо­нокристалічному і склоподіб­ному станах Наук.-тех. збірн. “Про­блеми економічного та соціального розвитку ре­гіону і практика наукового експерименту”, Київ— Ужгород—Ніредьгаза, 2000. Вип. 15.  С. 179—184 Н.Д. Байса 

В.М. Головей

М.І. Головей

69 Одержання і теплові власти­вості Li2B4O7у монокристаліч­ному і склоподібному станах 36. тез. Xміжн. наук.-тех. конф. “Складні оксиди, халькогеніди та галогені­ди для функціональної електроніки”. Ужгород, 26—29 вересня 2000.C. 147. Н.Д. Байса 

І.С. Гірник

В.М. Головей

М.І. Головей

70 Фото- і термоструктурні пере­творення халькогенідних напів­провідників Зб. тез. Xміжн. наук.-тех. конф. “Складні оксиди, халькогеніди та галогені­ди для функціональної електроніки”. Ужгород, 26—29 вересня 2000. С. 94. Д.Г. Семак
71 On the calculation of the real-crystals phonon density of state from the temperature dependence of heat capacity Abstracts NATO advanced research workshop on modern aspects of ferroelectricity and open ukrainian-french meeting on ferroelectricity, Kiev, 6—11May 2000. P. 76. O.I. Lendyel 

V.V. Maslyuk

72 Thermal conductivity and thermal expansion of Li2B4O7 in the single crystal and vitreous states Abstracts NATO advanced research workshop on modern aspects of ferroelectricity and open ukrainian-french meeting on ferroelectricity. Kiev, 6—11May 2000. P. 77 N.D.Baisa 

I.S.Hirnyk

V.M.Holovey

M.I.Holovey

73 Li2B4O7 production and thermal properties 

 

 

Prog, and Abstracts XXV international school and IV Polish-Ukrainen meeting on Ferroelectrics physics, 18—22.IX.2000.Krakow, Poland. P. 60. N.D.Baisa 

I.S.Girnyk

V.M.Holovey

M.I. Holovey

74 KárpátaljaSzokirnicailelőhelyű zeolitjainakfizikai-кémiaitulaj-donságai Tudomanyosh uteseinek eloudas-osszefoglaloi. 30.IX.2000. Nyiregy­haza, Hungaria. P. 45—46 J.J. Dubinszkij
75 Функціональні халькогенідні напівпровідники Монографія. Вид-во “Закар­паття”. 2001.152 с. Д.Г.Семак
76 Obtaining and transport effects in monocrystaliine and glassy Li2B4O7 Ргос. IFM-10. Madrid, Spain. 2001. P. 219. N.D.Baisa 

V.S. Bilanich

K.V. Domoratski

V.V.Maslyuk

V.M.Holovey

77 Phonon density of states recon-strucnion of the temperature dependence of heat capacity ferroelectrics Sn2P2Se(S)6 crystals Ргос. IFM-10. Madrid, Spain. 2001. P. 154. V.V.Maslyuk
78 Vibration spectra of an anion in Sn2P2S6 type crystals Ргос. “Paraopt 2001”. Lviv 2001 Р. 49 V.V.Maslyuk
79 Obtaining and transport effects in monocrystalline and glassy Li2B4O7. Abstracts of the 10th International Meeting on Ferroelectricity. Madrid,Spain. 2001. P. 219 N.D.Baisa 

V.S.Bilanich

K.V.Domoratski

V.V.Maslyuk

V.M.Holovey

80 Внутрішнє тертя Li2B4O7у скловидному стані. УФЖ. 2002. Т. 47, № 4. С. 396—401 В.С.Біланич 

Н.Д. Байса

В.М. Головей

В.М. Соломон

81 DISSIPATIVE PROCESSES IN Li2B4O7 UPEMFP’ 2002.Program and abstract book. P. 115 N.D.Baisa 

V.S. Bilanych

S.Yu. Stefanovych

M.B. Bohuslavskii

V.M. Holovey

82 Internal friction in litium tetraborate BKC-XVI—2002. Тезисы докла­дов. Тверь. C. 107 V.S.Bilanych 

N.D.Baisa

V.M.Holovey

83 Disipative processes in Li2B4O7 VI Ukrainian-Polish and II East-European Meeting on Ferroelectrics Physics.UPEMFP’ 2002. Septem­ber 6—10.Ukraine, Uzhgorod-Synyak, 2002 N.D.Baisa 

V.S.Bilanich

S.Yu. Stefanovich

M.B.Bohuslavskii

V.M.Holovey

84 Внутреннее трение в монокристалле Li2B4O7. ФТТ. 2003. Т. 45, № 1. С. 80—83 В.С.Биланич 

Н.Д.Байса

И.M. Ризак

В.М. Головей

85 Перенос заряда в Li2B4O7 в монокристаллическом и стеклообразном состояниях Кристаллография. 2003. Т. 48, № 4.С. 676—681 И.М.Ризак 

Н.Д.Байса

В.С. Биланич

С.Ю. Стефанович

В.М. Головей

86 Electric Properties of Lithium Tetraborate in Vitreous and Crystalline States. Ferroelectrics. 2003. Vol. 286. Р. 49—59 N.D.Baisa 

V.S.Bilanych

S.Yu.Stefanovich

M.B. Bohuslavskii

V.M. Holovey

87 Влияние легирования на диэлектрическую релаксацию в монокристалле Li2B4O7 Структурная релаксация в твердых телах. Сборник научных трудов. Винниця. 2003. С. 167—168 Н.Д. Байса 

В.С. Биланич

С.Ю. Стефанович

88 The infralow frequency mechanical properties of the Sn2P2S6 single crystal. The fourth international seminar on ferroelastics physics-ISFP—4, abstracts.Voronezh, Russia, september 15—18.2003. P. 109—110 V.S.Bilanych 

I.P.Prits.

89 Amplitude-dependent internal friction effects in Li2B4O7single crystal. The fourth international seminar on ferroelastics physics-ISFP-4, abstracts.Voronezh, Russia, september 15—18.2003. P. 109 V.S.Bilanych 

N.D.Baisa

V.M.Holovey.

90 Влияние g-облучения на внутреннее трение в тетраборате лития. ФТТ. 2004. Т. 46, № 3. С. 453—456 В.С. Биланич 

Н.Д. Байса

91 Infralow-Frequency Mechanical Properties of Sn2P2S6 Single Crystal Ferroelectrics. 2004. Vol. 6, № l.P. l57—162 V.S. Bilanych 

I.P.Prits

 

92
93
94
95 Nonempirical calculation of vibrational spectra of Sn2P2S6 type ferroelectric crystals Phonons 2004 11th International Conference on Phonon Scatteringin Condensed Matter V.V. Maslyuk
96 Релаксационные процессы в легированном Mnмонокристаллическом и стеклообразном тетраборате лития. ФТТ. 2006. № 10. С. 1757—1762 Н.Д. Байса 

В.С. Биланич

В.М. Головей

С.Ю. Стефанович

97 Релаксационные процессы в стеклах системы Ge-As-S. ФТT. 2006. № 11. С. 1942—1946 В.С. Биланич 

И.И. Макауз

Т.Д. Мельниченко

98 Дослідження електронної та просторової структури сегнетоелектриків-напівпровідників Sn2P2S6 (першопринципні розрахунки) Тези доповідей III української наукової конференції з фізики напівпровідників. Одеса, Астропринт. 2007. С. 104 О.І. Чобаль 

В.М. Різак

99 Quantum-chemical investigation of the nature of phase transition in the Sn2P2S6 ferroelectrics Methods and Applications of Computational Chemistry. BOOK OF ABSTRACTS. Kyiv; Kharkiv, 2007. P. 84 O.I. Chobal 

V.M. Rizak

100 Investigation of local lattice instability in ferroelectrics Sn2P2S6(first-principal calculations) 12th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter. PHONONS 2007. Paris, 2007. P.85 O. Chobal 

V. Rizak

101 The Investigation of Temperature Behaviour of Internal Friction of Glass of System Ge-As-Se 12th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter. PHONONS 2007. Paris, 2007. P. 152 V. Bilanych 

V. Onyschak

I. Makauz

V. Rizak

102 Дослідження ефектів структурного розупорядкування в склах системи Ge-As-Se методом внутрішнього тертя Тези доповідей III української наукової конференції з фізики напівпровідників.Одеса, Астропринт. 2007. С. 88 В.Б. Онищак, 

В.С. Біланич,

І.І. Макауз,

В.М. Різак

103 Дослідження електронної та просторової структури сегнетоелектриків-напівпровідників Sn2P2S6 (першопринципні розрахунки) Семінар “Властивості сегнето­електричних і суперіонних систем”. Ужгород. 2007. С. 40 О.І. Чобаль 

В.М. Різак

104 . DFT-розрахунки просторової та електронної структури кристалів Sn2P2S6 в пара- та сегнетофазах Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2008. Т. 22. С. 17—24 О.І. Чобаль 

В.М. Різак

105 Вплив g-опромінювання на низькотемпературну механічну релаксацію у склі Ge8As32Se60 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2008. Т. 22. С. 44—47 В.С. Біланич 

В.Б. Онищак

О.О. Парлаг

В.М. Різак

106 Влияние давления на теплоемкость и коэффициент теплопроводности сегнетоэлектрических Sn2P2S6 Тезисы докладов XVIII Всерос­сийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Санкт-Петербург, 2008. 1 с. О. Андерссон 

А.И. Чобаль,

В.М. Ризак

107 Кластерные abinitio расчеты и моделирование фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn2P2S6 Тезисы докладов XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Санкт-Петербург. 2008. 1 с. А.Г. Гребенюк 

А.И. Чобаль

В.М. Ризак

108 Size-dependent transformation of electronic and vibrational spectra of nanoclusters of Sn2P2S6 ferroelectric crystals: first-principal calculation Book of abstracts “First international symposium “SUPRAMOLECULAR AND NANOCHEMISTRY: TOWARD APPLICATIONS”. Kharkov, Ukraine. 2008. Р. 1 O. Chobal 

V. Rizak

109 Tricritical Lifshitz point in the temperature-pressure-composition diagram for (PbySn1−y)2P2(SexS1−x)6 ferroelectrics Phys. Rev. B. 2009. Vol. 80. P. 174107 O. Andersson 

O. Chobal

V. Rizak

110 Теплоемкость кристаллов Sn2P2S6 в интервале температур 2—400 К: эксперимент и abinitio расчеты Сб. научных трудов “Открытые информационные и компью­терные интегрированные технологии”. Вип. 43. С. 133—139 А. Чобаль 

М. Райферс

С. Илькович

О. Чугай

В. Ризак

111 Abinitio моделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков Sn2P2S6 Сб. научных трудов “Открытые информационные и компью­терные интегрированные технологии”. Вип. 44. С. 206—211 А. Чобаль 

О.Чугай

В. Ризак

112 Вычисление плотности фононной состояний кристалловSn2P2S(Se)6 с температурной зависимости теплоемкости с помощью паралельной mpi-программы Сб. научных трудов “Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии”. Вип. 44. С. 212—218 В. Сабадош 

О.Чугай

В. Ризак

113 Влияние давления на коэффициент теплопроводности сегнетоэлектрических кристаллов Sn2P2S6 Матеріали 9-ї Міжнародної конференції (1—4 грудня 2009 р.) “Фізичні явища в твердих тіл”. С. 51 О. Андерссон 

А.И. Чобаль

О. Чугай

В.М. Ризак

114 Теплоемкость Li2B4O7 в интервале температур 2—400 К: к вопросу о фазовых переходах Матеріали 9-ї Міжнародної конференції (1—4 грудня 2009 р.) “Фізичні явища в твердих тіл”. С. 96 М. Райферс 

С. Илькович

О. Чугай

В. Головей

А. Чобаль

В. Ризак

115 Электронная и пространственная структура наноразмерных кластеров сегнетоэлектрических кристаллов Sn2P2S6 ФТТ. 2010. Т. 52. Вип. 7. С. 1370 А.И. Чобаль 

А.Г. Гребенюк

В.М. Ризак

116 Регуляризація некоректної задачі відновлення густини фононних станів з Ср(Т): на прикладі кристалів Sn(Pb)2P2S(Se)6 Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математи­ческое и имитацион­ное моделирование систем МОДС’2010”.2010. С. 26 В.М. Сабадош 

О.І. Чобаль

В.М. Різак

117 Моделювання впливу тиску на фізичні властивості кристалівSn2P2S6 Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математи­ческое и имитационное моделирование систем МОДС’2010”.2010. С. 27. О.І. Чобаль 

В.М, Сабадош

В.М. Різак

118 The influence of mechanical treatmentnanomilling on the heat capacity of chalcogenide Sn2P2S6 Materials of 18-th Conference of Slovak Physicists Proceedings. 6— 9.09.2010. P. 89 S. Ilkovich, M. Reiffers, 

V. Seben, O. Chobal,

V. Rizak, P. Balazh,

M.Toimko

119 Heat capacity of (PbySn1–y)2P2S6 and Sn2P2Se6 chalcogenides Materials of 18-th Conference of Slovak Physicists Proceedings. 6— 9.09.2010. P. 95. V. Burger, S. Ilkovich, 

L. Parma, M. Reiffers, V. Seben, K. Shterbakova,

O. Chobal, V. Rizak

120 Электронная и пространственная структура наноразмерных кластеров сегнетоэлектрических кристаллов Sn2Р2S6 ФТТ. 2010. Т. 52. Вып. 7. С. 1370—1376 А.И. Чобаль 

А.Г. Гребенюк

В.М. Ризак

121 Аb іnitioмоделирование локальной решеточной неустойчивости сегнетоэлектриков Sn2Р2S6 Сб. научных трудов “Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии”. 2010. Вып. 44. С. 206—211 А. Чобаль 

М. Райферс

О. Чугай

В. Ризак

122 Регуляризація некоректної задачі відновлення густини фононних станів з Ср(Т):на прикладі кристалів Sn(Рb)2Р2S(Sе)6 Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математическое и имитационное моделирование систем МОДС’2010”. С. 26 В.М. Сабадош 

О.І. Чобаль

В.М. Різак

123 Моделювання впливу тиску на фізичні властивості кристалівSn2Р2S6 Материалы 5-й научно-практической конференции с международным участием (21—25 июня 2010 г.) “Математиче­ское и имитационное моделирование систем МОДС’2010”. С. 27 О.І. Чобаль 

В.М, Сабадош

В.М. Різак

124 The influence of mechanical treatmentnanomilling of the heat capacity of chalcogenide Sn2Р2S6 18th Conference of Slovak Physicists Proceedings. Banská Bystrica. 2010. P.89—90. S. Il’covič, M. Reiffers, V. šebeň, O. Čobal, 

V. Rizak, P. Baláž,

M. Timko

125 Heatcapacityof(PbySn1–y)2Р2S6and Sn2Р2Se6chalcogenides 18thConferenceofSlovakPhysicists.Proceedings. Banská Bystrica. 2010. P. 95—96. V. Burger, S. Il’covič, 

L. Parma, M. Reiffers, V. šebeň, K. šterbáko­vá, O. Čobal, V. Rizak

126 Ab initio calculation of electronic structure and vibrational spectra of Li2B4O7 crystals 3-d Workshop on ab initio phonon calculations. Krakow. 2010. P.21 I. Chobal, V. Rizak
127 Effects of pressure and temperature on the thermal conductivity of Sn2P2S6 Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 134121 O. Andersson 

O. Chobal, V. Rizak,

V. Sabadosh

128 Електронна і просторова структура кристалів Li(Na)2B4O7 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2011. Вип. 29. С. 54—59 І. Чобаль 

В. Різак

129 Heat capacity and electrical resistance of (PbySn1–y)2P2S6chalcogenides The 26th International Conference on Low Temperature Physics. Proceedings.-Beijing, China. 2011. P. 95—96 S. Il’covič, M. Reiffers , V. šebeň, K. šterbáko­vá, V.Burger , L. Par­ma, O. Čobal, V. Rizak
130 Effects of pressure on the electronic structure and vibriational properties of Sn2P2S6 crystals: ab initio calculation Book of abstracts “Methods and Applications of Computational Chemistry”. Lviv. 2011.P.79. O. Chobal 

V. Sabadosh

V. Rizak

131 Ab initio calculation of electronic structure of Li(Na)2B4O7 crystals Book of abstracts “Methods and Applications of Computational Chemistry”. Lviv. 2011.P. 78 I. Chobal 

V. Rizak

132 Кластерні моделі та першопринципні розрахунки фізичнихвластивостей кристалів Li(Na)2B4O7 Математичне та імітаційне моделювання систем. Чернігів. 2011. С. 56. І. Чобаль 

В. Різак

133 Ab initio розрахунки густини електронних станів кристалівMe2B4O7 (Me= Li, Na, K) Матеріали X Міжнародної конференціїї “Фізичні явища в твердих тілах”. Харків. 2011. С. 46 І. Чобаль 

В. Різак

134 High Temperature Magnetic and Thermal Properties of
(PbySn1–y)2P2S6 Chalcogenides
Acta Physica Polonica A. 2012. Vol. 122. No. 1. P. 12—14 S. Il’kovič, M. Reiffers, V. šebeň, K. šterbáková, V. Burger, L. Parma, 

O. Chobal, V. Rizak

135 Heat capacity and electrical resistance of (PbySn1–y)2P2S6chalcogenides Journal of Physics: Conference Series. 2012. Vol. 400. P. 032025 S. Il’kovič, M. Reiffers, V. šebeň, K. šterbáko­vá, V. Burger, L. Parma, O. Chobal
136 Першопринципні розрахунки фононних спектрів кристалів Sn2P2S6 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2012. Вип. 31. С. 41—48 В.М. Сабадош 

О.І. Чобаль

В.М. Різак

137 Вплив ізовалентного заміщення на електронну структуру кристалів тетраборату літію 5-та Міжнародна науково-технічна конференція “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”.  Одеса. 2012.С.85. І. Чобаль 

В. Різак

138 Ab initioмоделювання структури та електронних властивостей нанорозмірних кластерів боратів лужних металів Сьома міжнародна науково-практична конференція “Математичне та імітаційне моделювання систем. МОДС ’2012”. Чернігів.2012. С. 105 І. Чобаль 

В. Різак

139 Ab initioрозрахунки коливальних спектрів кристалів Li(Na,K)2B4O7 Науковий Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2013. Вип. 33. С. 58—62 І. Чобаль 

В. Різак

140 . Effect of isovalent substitution on the physical properties of nanoclusters of lithium tetraborate XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. Ivano-Frankivsk. 2013. P. 247 O. Chobal, I. Chobal, 

F. Kováč, I. Petryshy­nets, V. Rizak

141 Heat capacity of Sn2P2S6 ferroelectric nanocrystals XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. Ivano-Frankivsk. 2013. P. 246 O. Chobal, S. Iľkovič, M. Reiffers, V. šebeň, P. Baláž, M.Timko, 

F. Kováč, I. Petryshy­nets, V. Rizak

142 Nanoindentation study of lithium tetraborate XIV International Conference “Physics and technology of thin films and nanosystems”. Ivano-Frankivsk. 2013. P. 245 O. Chobal, I. Chobal, 

F. Kováč, P. Gavendová, I. Petryshynets,

V. Holovey, V. Rizak

143 Ab initio calculation of dynamic and elastic properties of Sn2P2S6ferroelectric crystals Second International Conference “Cluster Computing” CC 2013. Lviv. 2013. P. 60 O. Chobal, F. Kováč, 

I. Petryshynets,

V. Sabadosh, V. Rizak

Навчально-методичні публікації

1 Фізика низьких температур Спецпрактикум. 

Ужгород. Вид. В. Падяка. 2003. 144 с.

2 Механіка у прикладах і задачах: Посібник для фізичних факультетів вищих навчальних закладов 

(з грифом МОН України)

Ужгород. Мистецька лінія, УжНУ. 2004. 272с. В.М. Жихарев 

Є.Т. Ковач

3 Фото- і термоструктурні пере­творення халькогенідів Монографія. Вид-во “Закар­паття”. 1999. 392 с. Д.Г.Семак 

В.М Різак

4 Функціональні халькогенідні напівпровідники Монографія. Вид-во “Закар­паття”. 2001. 152 с. В.М.Різак 

Д.Г. Семак

5 Кріогенна фізика і техніка (з грифом МОН України) Підручник.  Київ, Наукова думка. 2006. 512 с. В.М. Різак 

Е.Я. Руданський

Світлій памяті Олексія Різака присвячується…

Ризак Алексей Іван Михайлович Різак, батько жоростоко вбитого Олексія Різака, своє слово стримав: в заключній промові після захисту докторської дисертації підкреслив, що сама дисертація присвячується світлій памяті невинно убієнного сина Олексія. Останнє слово, звичайно, скаже атестаційна колегія Міністерства освіти та науки в процедурі захисту дисертації Іваном Михайловичем. Проте ми сьогодні уже  можемо сказати, що екс-губернатор після пережитих долею нескінчених практично смертельних ударів вистояв і захистив докторську дисертацію в одній з найавторитетніших спецрад по захисту зі спеціальності (фізика твердого тіла) — 01.04.07 ( голова — доктор фізико -математичних наук, професор Беляєв Олександр Євгенович). Професійна доповідь дисертанта, чіткі відповіді на велику кількість питань, на зауваження блискучих вчених опонентів, серйозна дискусія. Все це закінчилося голосуванням, яке де-факто зробило Івана Різака доктором фізико-математичних наук… А ще були десятки позитивних відгуків на автореферат дисертаційної роботи вчених зі світових іменем з усіх провідних наукових центрів України. Відгукнулися вчені з Словаччини та Угорщини.

ВЧЕНІ, ЯКІ НАДІСЛАЛИ ПОЗИТИВНИЙ ВІДГУК НА АВТОРЕФЕРАТ ДОКТОРСЬКОЇ ДИСЕРТАЦІЇ РІЗАКА ІВАНА МИХАЙЛОВИЧА

( СПИСОК НЕПОВНИЙ)

1.Гриньов Б. В.український вчений матеріалознавець, академік  НАН України, доктор технічних наук, професор. Директор Державного фонду фундаментальних досліджень України, науковий керівник Інституту сцинтиляційних матеріалів НАН України.

2. Семино́женко В.П.— український громадський і політичний діяч, науковець у галузі матеріалознавства та надпровідних матеріалів, доктор фіз.-мат. наук (1984), професор (1988), академік НАН України (1992), двічі лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки (1992, 2000) та Міжнародної премії в галузі ядерної фізики, генеральний директор ДНУ «НТК „Інститут монокристалів“ НАН України», голова Північно-східного наукового центру НАН України, народний депутат України 2-го і 3-го скликань. Голова Державного агентства з питань науки, інновацій та інформатизації України (29 квітня 2011— 11 червня 2014).

3. Шпеник О.Б. — директор Інституту електронної    фізики, академік НАН України. Іноземний член Угорської академії наук, почесний громадянин міста Ужгород, Президент Закарпатського відділення Малої академії наук, голова Закарпатської філії Федерації вчених України, доктор фізико-математичних наук, професор секції фізики Комітету з Державних премій України в галузі науки і техніки, член Експертної ради ВАК України, член бюро Відділення фізики і астрономії НАН України Соросівський професор, заслужений діяч науки і техніки України, лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки.

  • 4. Мацевитий Ю.М. — український вчений, спеціаліст в области теплофізики, моделювання та ідентифікації теплових процесів, академік НАН УКРАЇНИ (2003), доктор технічних наук (1971), професор (1978), лауреат Державних премій  СРСР (1984) и Україны (2008) в області науки і техніки,  (1996), директор Інституту проблем машинобудування ім. А. Н. Підгорного НАН України.

5. Юхновський І. Р. — український фізик-теоретик. Доктор          фізико-математичних наук, професор, академік НАН України, народний депутат України І–IV скликань, почесний громадянин Львова.Почесний директор Інституту фізики конденсованих систем НАН України, почесний доктор Інституту теоретичної фізики ім. М. М. Боголюбова НАН України, доктор Honoris Causa Львівського національного університету імені Івана Франка

6. Згуровський М.З., ректор Національного технічного університету України «Київський політехнічний інститут», доктор технічних наук, академік НАН України, Академії педагогічних наук України, 6. Трубіцин Михайло Павлович -  завідувач кафедри фізики твердого тіла та оптоелектроніки Дніпропетровського національного університету ім. О. Гончара, професор, доктор фізико-математичних наук.

7. Анісімов І.О., доктор фізико-математичних наук, професор, декан факультету радіофізики, електроніки та компютерних систем Київського національного університету імені Тараса Шевченка, Голова українського фізичного товариства.

8. Сиркін Є С., доктор фізико-математичних наук, професор, провідний науковий співробітник фізико-технічного інституту изьких температур ім. Б.І. ВЄРКІНА НАН УКРАЇНИ

9. Свелеба С.А., доктор фізико-математичних наук, професор кафедри оптоелектроніки та інформаційних технологій Львівського національного університету ім. Івана Франка.

10. Пойда В. П., доктор технічних наук, професор, завідувач кафедри експериментальної фізики Хапківського національного університету імені В.Н. Каразіна

11. Литовченко П. Г., доктор фізико-математичних наук, професор, Член- кореспондент НАН України, головний науковий співробітник Інституту ядерних досліджень НАН України.

12. Клепіков В. Ф, доктор фізико-математичних наук, професор, Член — кореспондент НАН України, директор Інституту електрофізики і радіаційних технологій НАН України

13. Мельничук О.В., доктор фізико-математичних наук, професор, проректор з наукової роботи та міжнародних звязків Ніжинського державного університету імені Миколи Гоголя.

14. Стріха М.В., доктор фізико-математичних наук,    професор.Український науковець, громадський та політичний діяч, перекладач, письменник; доктор фізико-математичних наук (1997). Заступник Міністра освіти і науки України у 2008—2010 рр. та з вересня 2014 р. Головний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників НАН України (з 2010, з 2014 — за сумісництвом), професор Київського національного університету імені Т. Г. Шевченка (з 2008, за сумісництвом), віце-президент АН вищої школи України (з 2010), віце-президент Асоціації українських письменників (з 2009). Член редакційних колегій «Українського фізичного журналу» (з 2010), журналу «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (з 2009). Член редколегії журналу «Всесвіт» (з 2006).

15. Сминтина Валентин Андрійович - Відомий вчений в галузі фізики і техніки напівпровідників, сенсорної електроніки та технології, організатор освіти. Доктор фізико-математичних наук, професор. Академік АН ВШ України з 1997 р.  У 1995-2010 рр. – ректор Одеського національного ун-ту ім. І.І. Мечникова. Наукові інтереси пов`язані з вивченням механізмів електронно-молекулярних процесів на поверхні та межі поділу напівпровідників, що поклало початок новому напрямку досліджень у цій галузі. Ним створено НДЛ «Сенсорної електроніки і технології» (1989), розроблені газові сенсори нового покоління. Керівник наукової школи з фізики поверхні напівпровідників в ОНУ. Відкрив навчально-науковий центр медичної та біологічної фізики (1999). Автор понад 500 наукових робіт, серед яких 5 наукових монографій, 35 статей без співавторів, 19 авторських свідоцтв та патентів на винаходи, 5 підручників, рекомендованих МОН України, навчальні посібники. Віце-президент Українського фізичного товариства, член комітету з Державних премій України, заступник голови Наукової Ради з фізики напівпровідників при Президії НАНУ та керівник її секції №5, заступник Голови Південного наукового центру, НАН України, голова секції фізики Південного наукового центру науковий керівник регіонального семінару з проблем фізики та голова координаційного семінару з фізики напівпровідників Південного наукового центру НАН України.

16. Токарчук Михайло Васильович — доктор фізико-математичних наук, професор кафедри прикладної математики, Інституту прикладної математики та фундаментальних наук Національного університету «Львівська політехніка» , Завідувач відділу теорії нерівноважних процесів Інститут фізики конденсованих систем (ІФКС) НАН України

 

(Частково використано матеріали ВІКІПЕДІЇ).

Національна академія наук УКРАЇНИ

інститут фізики НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В. Є. ЛАШКАРЬОВА

 

 

 

 

РІЗАК ІВАН МИХАЙЛОВИЧ

 

УДК 537.226.4

 

 

 

 

ТЕПЛОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ Й ЯВИЩА ПЕРЕНЕСЕННЯ
ПРИ ТЕРМОФОТОСТРУКТУРНИХ ПЕРЕТВОРЕННЯХ
ХАЛЬКОГЕНІДНИХ ІОННИХ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКІВ ТИПУ
ГЕКСАСЕЛЕНОГІПОДИФОСФАТУ ОЛОВА ТА ІОННИХ
ПРОВІДНИКІВ ТЕТРАБОРАТУ ЛІТІЮ

 

 

 

01.04.07 — фізика твердого тіла

 

АВТОРЕФЕРАТ

дисертації на здобуття наукового ступеня

доктора фізико-математичних наук

 

 

 

 

 

 

 

київ 2016
Дисертацією є рукопис

 

Робота виконана в Ужгородському національному університеті

 

Науковий консультант: доктор фізико-математичних наук, 

старший науковий співробітник

Стронський Олександр Володимирович,

Інститут фізики напівпровідників

ім. В.Є. Лaшкарьова НАН України,

завідувач відділу фізики оптоелектронних приладів

 

Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, 

старший науковий співробітник

Вайнберг Віктор Володимирович, Інститут фізики НАН України,

провідний науковий співробітник відділу електроніки твердого тіла

 

доктор фізико-математичних наук, професор Коваленко Олександр Володимирович, Дніпропетровський національний університет 

ім. Олеся Гончара,

завідувач кафедри радіоелектроники

 

доктор фізико-математичних наук, професор 

Махній Віктор Петрович, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, професор кафедри оптики та видавничо-поліграфічної справи

 

Захист відбудеться 9 листопада 2016 р. о 14 год. 15 хв.  на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.199.01 Інституту фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (03028, м. Київ, проспект Науки, 41)

 

З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (03028, м. Київ, проспект Науки, 41)

 

Автореферат розісланий “__7__ жовтня 2016 р.

 

 

 

 

Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,

кандидат фізико-математичних наук                                                О.Б. Охріменко

 

Івана Михайловича привітаємо після завершення всієї процедури захисту. А Олексія сьогодні згадаємо, який конкретно допомагав батькові в житті, який був і залишається найкращим єдиним сином і другом для екс-губернатора! Спасибі Тобі, Олексій! Ти з нами назавжди. Вічная память!

Персональна сторінка Олексія Різака

СВІТОГЛЯД

 

 

СВІТОГЛЯД